制造商: Infineon(英飞凌)

封装: PG-TO263-3

Datasheet: IPB200N25N3 G

型号描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：64A 功率(Pd)：300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,64A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@270uA

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